ماسفت 20N60C3

ماسفت 20N60C3 یک ترانزیستور قدرت از نوع N-Channel MOSFET است که برای کاربردهای ولتاژ بالا و تحمل شرایط کاری سخت طراحی شده است. این قطعه با ولتاژ درین-سورس (Vds) برابر 650 ولت و جریان درین 20.7 آمپر، گزینه‌ای مطمئن برای منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)، درایوهای موتور و تجهیزات صنعتی به شمار می‌آید و انتخابی مناسب برای طراحان، سازندگان تجهیزات و تعمیرکاران حرفه‌ای است.

طراحی ماسفت 20N60C3 مبتنی بر فناوری پیشرفته و انحصاری شرکت معتبر Infineon است. بهره‌گیری از High Voltage Technology نوین باعث کاهش تلفات، افزایش راندمان و قابلیت اطمینان بیشتر در مدار می‌شود. بار گیت بسیار پایین (Ultra Low Gate Charge) و مقاومت پایین در کنار سرعت سوئیچینگ بالا، این ماسفت را برای مدارهایی با فرکانس کاری بالا بسیار مناسب کرده است.

از نظر استحکام، این قطعه قابلیت تحمل شرایط Avalanche به صورت دوره‌ای (Periodic Avalanche Rated)، مقاومت بالا در برابر dv/dt و توانایی تحمل جریان‌های پیک بالا را دارد. این ویژگی‌ها در مدارهایی که با نوسانات لحظه‌ای ولتاژ و جریان روبه‌رو هستند، به عمر طولانی‌تر قطعه و عملکرد پایدارتر کمک می‌کنند. ترانسکانداکتانس بهبودیافته نیز کنترل دقیق‌تر و پاسخ بهتر قطعه را در مدار فراهم می‌کند.

این محصول در پکیج SMD از نوع D²PAK عرضه می‌شود که نصب آن را روی بُردهای مدرن ساده کرده و با فلنج فلزی خود اتصال حرارتی مناسبی ایجاد می‌کند. برای خرید ماسفت 20N60C3 اورجینال اینفینیون با کیفیت مطمئن، می‌توانید از فروشگاه ما سفارش دهید. تمام محصولات پیش از ارسال بررسی می‌شوند تا قطعه‌ای با عملکرد قابل اعتماد در پروژه‌های شما به کار رود.

ویژگی‌های اصلی:

نوع قطعه: N-Channel MOSFET
سازنده: Infineon
ولتاژ درین-سورس (Vds): 650V
ظرفیت جریان (Drain Current): 20.7A
توان تلفاتی (Power Dissipation): 208W (در دمای کیس 25°C)
پکیج: D²PAK (TO-263) – SMD
بار گیت بسیار پایین (Ultra Low Gate Charge)
قابلیت تحمل Avalanche به صورت دوره‌ای (Periodic Avalanche Rated)
مقاومت بالا در برابر dv/dt (Extreme dv/dt Rated)
توانایی تحمل جریان‌های پیک بالا (High Peak Current Capability)
ترانسکانداکتانس بهبودیافته (Improved Transconductance)